除了之前公布的GDDR7内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速DDR5内存芯片。这款大容量32GbDDR5DRAM采用12纳米(nm)级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于16GbDDR5DRAM的容量。虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的DDR5芯片的信息，但我们知道，这款DDR5的I/O速度高达每个引脚8000Mbps，并且采用三星第五代10nm级晶圆代工节点的Symmetric-Mosaic架构设计，专门针对DRAM产品量身定制。指股网注意到，三星电子内存产品和技术执行副总裁SangJoonHwang在2023年底首次宣布新DDR5产品时表示：“凭借我们的12nm级32GbDRAM，我们已经获得了一种解决方案，可以实现高达1TB(TB)的DRAM模块，使我们能够理想地满足人工智能(AI)和大数据时代对高容量DRAM的日益增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，突破内存技术的极限。”之前使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块需要硅通孔(TSV)工艺。然而，新的32GbDRAM允许在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块，三星表示这将使功耗降低约10%。对于目前正在与人工智能不断增长的能源需求作斗争的数据中心来说，这是一个受欢迎的解决方案。三星最新的DDR5技术允许在单通道配置下以DDR5-8000速度创建32GB和48GBDIMM，还支持双通道配置下的64GB和96GBDIMM。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，指股网所有文章均包含本声明。