铠侠西数计划大规模生产 218 层 NAND 闪存,投资总额达 7290 亿日元

2024-02-07     网友
铠侠和西部数据计划在日本西部的四日市和北部的北上市大规模生产218层的NAND闪存。根据计划,四日市月产能可达6万片晶圆,同时北上每月可生产2.5万片晶圆,并于2025年9月开始出货;而下一代产品的生产线预计将会在2029年投入使用。官方透露,这两家工厂的总投资额将达到约4500亿日元(当前约218.25亿元人民币),而且政府还将提供1500亿日元(当前约72.75亿元人民币)的补贴。日本经产省认为,随着全球生成式人工智能和自动驾驶应用不断发展,第八代和第九代闪存芯片也将出现更高的需求。该部还认为,这两家工厂将对当地经济产生重大积极影响,预计将创造约9000个就业岗位。实际上,铠侠和西部数据此前一直在政府的支持下建设四日市工厂的第六代闪存生产线。加上该项目,两家公司的投资总额将达到7290亿日元,其中政府提供最高2430亿日元。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。
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